対応している構成

構成ゲイン入力インピーダンス逆引き
非反転増幅1 + Rf/Rg非常に高い対応
反転増幅−Rf/RgRg対応
ボルテージフォロワ1非常に高い
差動増幅(Rf/Rg)(V2 − V1)2Rg対応
反転加算−Rf(V1/R1 + V2/R2)各入力抵抗
I-V変換−Iin × Rfほぼ0(仮想接地)
計装増幅器(1 + 2R1/Rg)(R3/R2)非常に高い

信号ゲインとノイズゲインは別物です

反転増幅のゲインは −Rf/Rg です。しかし帯域と入力オフセット電圧の出力換算を決めるのは このゲインではありません。非反転入力側から見たゲイン 1 + Rf/Rg のほうで、これを ノイズゲインと呼びます。

Rf = 20kΩ、Rg = 10kΩ の反転増幅なら、信号ゲインは 2 倍ですがノイズゲインは 3 倍です。 GB積 1MHz のオペアンプで閉ループ帯域を見積もると、500kHz ではなく約 333kHz が正解です。 ゲインだけを出す計算機を使っていると、ここで必ず見積もりを外します。

閉ループ帯域  f = GB積 / ノイズゲイン
Vos の出力換算 = Vos × ノイズゲイン
Ib の出力換算  = Ib × Rf

公差でゲインはどこまで振れるか

E96(±1%)の抵抗2本で非反転増幅のゲインを 2 倍にしたとき、ゲインの誤差は ±1% ではありません。 Rf が上振れして Rg が下振れする最悪ケースで 1 + 10.1/9.9 = 2.0202、逆で 1.9802 なので±1.01% です。ゲインが大きくなるほど Rf/Rg の項が支配的になり、 誤差は ±2% に近づいていきます。

このツールでは最悪ケースと統計的な1σを並べて出しています。1σ は一様分布を仮定した 二乗和平方根で、抵抗値が独立にばらつくなら実測はこちらに近くなります。最悪ケースだけで 設計すると過剰になるので、両方を見て判断してください。

スルーレートは帯域とは別の制約です

帯域が足りていても、出力振幅が大きいとスルーレートで先に頭打ちになります。正弦波の最大 変化率は 2πf·Vpeak なので、歪みなく出せる上限周波数はこうなります。

f_max = スルーレート / (2π × Vpeak)

スルーレート 0.5V/µs のオペアンプで振幅 2V を出すなら、上限は約 40kHz です。帯域が 333kHz あっても、40kHz を超えると波形が三角波に近づきます。この2つは別に確認する必要があります。

入力例

  • センサ出力を ADC のフルスケールに合わせる:目標ゲインを入れて逆引きすると、 E96 で誤差 0% の組み合わせが出ることがよくあります。同じ誤差なら 10kΩ 前後の値を優先して 並べています(低すぎるとオペアンプの出力電流が増え、高すぎるとバイアス電流と雑音が効きます)
  • 3.3V 単電源で使う:正電源 3.3V、負電源 0V、レール余裕 0.2V を入れると、 出力が 3.1V を超えた時点でクリップ警告が出ます。単電源では入力が 0V 付近に来たときも 下側で張り付くので、バイアスの検討が必要です
  • 高抵抗の I-V 変換:Rf = 1MΩ、バイアス電流 10nA なら、それだけで 出力に 10mV のオフセットが出ます。FET入力のオペアンプを選ぶ理由がここで数字になります

含んでいない要素

  • 有限の開ループゲインによるゲイン誤差(低周波では通常無視できます)
  • CMRR・PSRR。差動増幅の同相除去は抵抗4本の相対精度で決まります
  • 入力容量と帰還抵抗が作る極、位相余裕。I-V変換では補償容量がほぼ必須です
  • 抵抗の熱雑音、オペアンプの電圧雑音・電流雑音
  • オフセット電圧とバイアス電流の温度ドリフト
  • 出力電流能力、容量負荷による発振

理想オペアンプに1次のGB積モデルを載せただけの計算です。実機で追い込むときは、 データシートの開ループゲイン特性と位相余裕を必ず見てください。